功率放大器的工作电压、电流都很大。功放管一般工作在极限状态下，所以在给负载输出功率的同时，功放管也要消耗部分功率，使管子升温发热，致使晶体管损坏。为此，应注意功放管的散热措施，通常是给功放管加装由铜、铝等导热性良好的金属材料制成的散热片，由于功放管管壳很小，温升的热量主要通过散热片传送。

功放管的管耗是通过热传导的形式以散热的方式消耗掉的。所谓热传导，是指热能从高温点向低温点传送的现象。为衡量媒质导热能力的强弱, 引入热阻的概念。一般地, 若A、B两点的温度分别为TA、TＢ, 其间导热材料的热阻为RT, 则A、B两点间传送的热功率P与TA、TB、RT之间, 有如下关系:

式中，Tjmax取决于管子的半导体材料。锗管的Tjmax约为75~100 ℃；硅管约为(175~200)℃。

        由式（5 - 24）可知, 环境温度越高, 其允许最大的集电极功耗越小。手册上给出的PCM是在环境温度为25 ℃条件下得到的。在设计功放电路时, 为了安全工作起见, 常取最高环境温度下的集电极最大允许功耗PCM（Tamax）的90％作为功耗的极限值, 即应使集电极功耗PC满足

        对于大功率晶体管一般需要加散热板以改善散热条件, 减小热阻, 从而提高PCM。

            图8.1所示为晶体管击穿特性曲线。AB段为一次击穿，是由于Uce过大引起的雪崩击穿，是可逆的，当外加电压减小或消失后管子可恢复原状。若在一次击穿后，iC继续增大，管子将进入二次击穿BC段，二次击穿是不可逆的，致使管子毁坏。防止功放管二次击穿的主要措施为：①改善管子散热情况，使其工作在安全区；②应用时避免电源剧烈波动，输入信号突然大幅度增加，负载开路或短路等，以免出现过压、过流；③在负载两端并联二极管和电容，以防止负载的感性引起功放管过压或过流。在功放管的c、e端并联稳压管以吸收瞬时过压。

        从前面的讨论中可以看出, 管耗PC过大将导致功放管损坏, 限制管耗即可有效地保护功放管。限制管耗的常用方法是限制流过功效管集电极的电流（即输出电流Io）。基于这一思路, 功放保护电路的常见形式如图8 - 3所示。

         图8 - 3（a）所示电路中采用二极管输出限流保护电路。 VD3、VD4是附加的限流二极管。正常情况下, VD3、VD4不起作用。

         iC1、iC2在开始导通的一段时间里增长很慢, 当iC1与iC2相互交替时, （iC1－iC2）的波形和正弦波形相差较大, 如图8 - 4所示。这种B类推挽放大器所特有的失真称为交越失真。

为了消除交越失真, 可分别给两只晶体管的发射结加很小的正偏压, 让两只晶体管各有一个很小的电流ICQ流过。这样, 既可以基本上消除交越失真, 又不会对效率有很大的影响。图8 - 5示出了加正偏压后, 对应负载电流（iC1－iC2）的波形。

        严格地讲, 此时晶体管已工作在AB类状态, 但由于正偏压较小, 静态电流很小, 所以一般仍称它为B类功率放大器, 其分析计算也按B类功率放大器对待, 以区别静态电流较大的AB类功率放大器。

       调整R1、R2的比值, 可改变V2, V3 基极间的电压, 即可得任意倍数UBE的UBB, 所以通常称该电路为UBE倍增电路。

        以上讨论的互补对称推挽电路, 由于采用正负两组电源供电, 当无输入信号时, 静态输出电位为零, 负载RL可直接连到功放电路输出端, 不需要输出耦合电容, 因此这种电路又称OCL（Output Capacitor Less）电路。